该项目得到中国科学院前沿科学与教育局、中国科学院先导专项、国家天然科学基金委、科技部要点研制方案、中科院苏州纳米所自有资金的赞助，而且感谢中科院苏州纳米所加工渠道、测验渠道以及Nano-X在技能上的支持。 III族氮化物资料是一种直接带隙资料，具有禁带宽度宽、化学不乱性强、击穿电场高以及热导率高级优点，在高效发光器材以及功率电子器材等范畴有着广泛的使用前景，这些年已成为一大研讨热点。现在简直一切的InGaN基激光器均是使用珍贵的自支持GaN衬底进行制备，约束了其使用规模。硅衬底具有本钱低、热导率高以及晶圆标准大等优点，如果能够在硅衬底上制备InGaN基激光器，将有用下降其出产本钱，然后进一步推广其使用。
硅是半导体职业最常见的资料，激光焊接机基于硅资料的电子芯片被广泛使用于平时日子的各种设备中，从智能手机、电脑到轿车、飞机、卫星等。
可是，硅作为直接带隙资料，发光功率极低，难以直接作为发光资料。随着技能的开展，研讨者发现经由传统的电气互联来进行芯片与体系之间的通信现已难以满足电子器材之间更快的通信速度以及更杂乱体系的哀求。将InGaN基激光器直接成长在硅衬底资料上，为GaN基光电子器材与硅基光电子器材的有机集成供应了也许。研讨职员提出使器具有高发光功率的III-V族资料作为发光资料，成长或许键合在硅衬底上，然后完成硅基光电集成。
另一方面，自1996年面世以来，InGaN基激光器在二十多年里得到了快速的开展，其使用规模广泛信息存储、照明、激光显现、可见光通信、海底通信以及生物医疗等范畴。为解决这一疑问，“光”被以为是一种十分有潜力的超高速传输前言，激光焊接机可用于硅基芯片以及体系间的数据通信。 。
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